phase-state low electron drive memory

时间:2005-10-27 来源: 作者: 点击:
    相位态低电子驱动存储器(PLEDM)是一种新型的记忆芯片技术,比起过去使用的记忆设备来能提供大的多的容量。一部全长的包含声音和图像的电影只要一个PLEDM设备就可以容纳。由于这种记忆体是非易失性的(断电后数据仍然被保存),PLEDM芯片有可能取代人们熟悉的机电式磁盘驱动器。第一个PLEDM芯片1999年由日本的日立公司在剑桥大学的实验室开发成功,具有小于10纳秒的读写时间。将来,这项技术可以和现存的非易失性记忆体动态随机存取记忆(DRAM)和闪存联合使用。
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